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规格书 |
TIP47-50 |
文档 |
TISP Series Feb/2013 |
标准包装 | 15,000 |
晶体管类型 | NPN |
集电极电流(Ic)(最大) | 1A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 300V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 1V @ 200mA, 1A |
电流 - 集电极截止(最大) | 1mA |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 30 @ 300mA, 10V |
功率 - 最大 | 2W |
频率转换 | - |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220 |
包装材料 | Tube |
集电极最大直流电流 | 1 |
最低工作温度 | -65 |
安装 | Through Hole |
包装宽度 | 4.7(Max) |
PCB | 3 |
最大功率耗散 | 40000 |
类型 | NPN |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 400 |
最大集电极发射极电压 | 300 |
供应商封装形式 | TO-220 |
标准包装名称 | TO-220 |
最高工作温度 | 150 |
包装长度 | 10.4(Max) |
引脚数 | 3 |
最小直流电流增益 | 30@0.3A@10V|10@1A@10V |
包装高度 | 8.72(Max) |
最大基地发射极电压 | 5 |
标签 | Tab |
铅形状 | Through Hole |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 1A |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Through Hole |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 1V @ 200mA, 1A |
电流 - 集电极截止(最大) | 1mA |
标准包装 | 15,000 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 300V |
供应商设备封装 | TO-220 |
封装 | Tube |
功率 - 最大 | 2W |
封装/外壳 | TO-220-3 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 30 @ 300mA, 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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